Osram kembangkan pengeluaran LED berprestasi tinggi
Sambil memperluaskan skala kedua-dua kilang pembuatan cip, Osram Opto Semiconductors juga menaik tarafnya kepada asas pembuatan wafer 6 inci, dengan itu meningkatkan pengeluaran dengan ketara. Antaranya, pangkalan Pulau Pinang di Malaysia sedang membina sebuah bangunan pengeluaran, manakala pangkalan Regensburg di Jerman sedang mengedarkan semula kilang yang sedia ada. Kedua-dua pangkalan ini akan mengguna pakai teknologi pembuatan baru dan memperkenalkan wafer 6-inci untuk menggantikan wafer 4 inci semasa. Selepas mengambil langkah-langkah ini, pada akhir tahun 2012, output cip LED putih dijangka berganda.
Melalui siri langkah ini, Osram Opto Semikonduktor akan memanfaatkan potensi pertumbuhan pasaran LED antarabangsa untuk memperluaskan kapasiti pengeluaran dua pangkalan pembuatan cipnya di Regensburg dan Pulau Pinang, seterusnya menyatukan kedudukan utamanya di pasaran antarabangsa. Kilang pembuatan kerepek Pulau Pinang telah dibuka kurang dari dua tahun, dan kini ia mempunyai masa yang baik untuk berkembang dan menaik taraf kepada pangkalan pembuatan wafer 6 inci. Jumlah kawasan loji akan meningkat kepada 25,000 meter persegi menjelang 2012 dan 400 pekerjaan baru akan ditambah. Di tapak Regensburg, ruang yang ada akan dirancang semula, dan pengeluaran InGaN (Indium Gallium Nitride) akan dinaik taraf secara beransur-ansur seawal musim panas 2011.
Encik Aldo Kamper, Ketua Pegawai Eksekutif Osram Opto Semiconductors, berkata: "Dengan memperluaskan kapasiti pengeluaran cip InGaN berprestasi tinggi, kami terus mengukuhkan kedudukan pasaran kami. Pasaran LED mempunyai potensi pertumbuhan yang besar dalam banyak bidang aplikasi yang berbeza, dan kami akan terus menggunakannya. Daya pemanduan ini terus berkembang. OSRAM Opto Semikonduktor adalah pautan penting dalam rantaian nilai tambah teknologi LED OSRAM."
Pengembangan kapasiti ini terutamanya akan memberi kesan kepada cip InGaN menggunakan filem nipis dan teknologi UX:3, yang diperlukan untuk pengeluaran LED putih. Pada masa akan datang, cip ini akan dihasilkan pada wafer 6 inci dari awal, bukannya berdasarkan wafer diameter 4 inci semasa.
